
SI7252ADP-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 742-SI7252ADP-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI7252ADP-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI7252ADP-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 100V 9.3A PPAK SO8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 100V 9,3A (Ta), 28,7A (Tc) 3,6W (Ta), 33,8W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® SO-8 duální |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI7252ADP-T1-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA |
Výrobce Vishay Siliconix | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 26,5nC při 10V |
Řada | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1266pF při 50V |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Výkon - max 3,6W (Ta), 33,8W (Tc) |
Stav součásti Aktivní | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) | Pouzdro PowerPAK® SO-8 duální |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100V | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® SO-8 duální |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 9,3A (Ta), 28,7A (Tc) | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 18,6mOhm při 10A, 10V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 57,98000 Kč | 57,98 Kč |
| 10 | 37,41500 Kč | 374,15 Kč |
| 100 | 25,64810 Kč | 2 564,81 Kč |
| 500 | 20,61190 Kč | 10 305,95 Kč |
| 1 000 | 19,23795 Kč | 19 237,95 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 16,93912 Kč | 50 817,36 Kč |
| 6 000 | 15,90597 Kč | 95 435,82 Kč |
| 9 000 | 15,71721 Kč | 141 454,89 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 57,98000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 70,15580 Kč |









