
SISF00DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISF00DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 60A (Tc) 69,4W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 2,1V při 250µA |
Výrobce Vishay Siliconix | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 53nC při 10V |
Řada | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2700pF při 15V |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Výkon - max 69,4W (Tc) |
Stav součásti Aktivní | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Způsob montáže Montáž na povrch |
Konfigurace 2 N-kanál (duální) společný odtok | Pouzdro PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V | Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 60A (Tc) | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 5mOhm při 10A, 10V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 50,89000 Kč | 50,89 Kč |
| 10 | 32,59700 Kč | 325,97 Kč |
| 100 | 22,17360 Kč | 2 217,36 Kč |
| 500 | 17,71216 Kč | 8 856,08 Kč |
| 1 000 | 16,27813 Kč | 16 278,13 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 14,45801 Kč | 43 374,03 Kč |
| 6 000 | 13,54235 Kč | 81 254,10 Kč |
| 9 000 | 13,09725 Kč | 117 875,25 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 50,89000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 61,57690 Kč |











