
SISF00DN-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISF00DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 55 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 60A (Tc) 69,4W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) společný odtok | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 60A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 5mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,1V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 53nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2700pF při 15V | |
Výkon - max | 69,4W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® 1212-8SCD Dual | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8SCD Dual | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 51,24000 Kč | 51,24 Kč |
| 10 | 32,82000 Kč | 328,20 Kč |
| 100 | 22,32510 Kč | 2 232,51 Kč |
| 500 | 17,83318 Kč | 8 916,59 Kč |
| 1 000 | 16,38936 Kč | 16 389,36 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 14,55679 Kč | 43 670,37 Kč |
| 6 000 | 13,63488 Kč | 81 809,28 Kč |
| 9 000 | 13,18674 Kč | 118 680,66 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 51,24000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 62,00040 Kč |










