
SISF00DN-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SISF00DN-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SISF00DN-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SISF00DN-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SISF00DN-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 60A PWRPAK1212 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 60A (Tc) 69,4W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK® 1212-8SCD Dual |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SISF00DN-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) společný odtok | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 60A (Tc) | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 5mOhm při 10A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,1V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 53nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2700pF při 15V | |
Výkon - max | 69,4W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | PowerPAK® 1212-8SCD Dual | |
Dodávaná velikost pouzdra | PowerPAK® 1212-8SCD Dual | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 42,08000 Kč | 42,08 Kč |
10 | 26,82900 Kč | 268,29 Kč |
100 | 18,13250 Kč | 1 813,25 Kč |
500 | 14,40644 Kč | 7 203,22 Kč |
1 000 | 13,55429 Kč | 13 554,29 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 11,68681 Kč | 35 060,43 Kč |
6 000 | 11,07375 Kč | 66 442,50 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 42,08000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 50,91680 Kč |