Name: SI6913DQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI6913DQ-T1-GE3TR-ND
Price: 73.0961 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI6913DQ-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI6913DQ-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI6913DQ-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI6913DQ-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI6913DQ-T1-GE3
Popis	MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 12V 4,9A 830mW Montáž na povrch 8-TSSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	12V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,9A
Rds zap (max) při Id, Vgs	21mOhm při 5,8A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	900mV při 400µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	28nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	-
Výkon - max	830mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-TSSOP (0,173", 4,40mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-TSSOP
Základní číslo produktu	SI6913