
SI5515CDC-T1-E3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI5515CDC-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI5515CDC-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI5515CDC-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI5515CDC-T1-E3 |
Popis | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 38 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 4A (Tc) 3,1W Montáž na povrch 1206-8 ChipFET™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI5515CDC-T1-E3 Modely |
Kategorie | Rds zap (max) při Id, Vgs 36mOhm při 6A, 4,5V |
Výrobce Vishay Siliconix | Vgs(th) (max) při Id 800mV při 250µA |
Řada | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 11,3nC při 5V |
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 632pF při 10V |
Stav součásti Aktivní | Výkon - max 3,1W |
Technologie MOSFET (oxid kovu) | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Konfigurace N a P-kanál | Způsob montáže Montáž na povrch |
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně | Pouzdro 8-SMD, Ploché vodiče |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20V | Dodávaná velikost pouzdra 1206-8 ChipFET™ |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 4A (Tc) | Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 27,11000 Kč | 27,11 Kč |
| 10 | 16,97600 Kč | 169,76 Kč |
| 100 | 11,18270 Kč | 1 118,27 Kč |
| 500 | 8,68756 Kč | 4 343,78 Kč |
| 1 000 | 7,88463 Kč | 7 884,63 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 6,86431 Kč | 20 592,93 Kč |
| 6 000 | 6,35067 Kč | 38 104,02 Kč |
| 9 000 | 6,08904 Kč | 54 801,36 Kč |
| 15 000 | 5,79512 Kč | 86 926,80 Kč |
| 21 000 | 5,62111 Kč | 118 043,31 Kč |
| 30 000 | 5,47457 Kč | 164 237,10 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 27,11000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 32,80310 Kč |


