
SI5515CDC-T1-GE3 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI5515CDC-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 22 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 4A 3,1W Montáž na povrch 1206-8 ChipFET™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI5515CDC-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | N a P-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 4A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 36mOhm při 6A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 800mV při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 11,3nC při 5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 632pF při 10V | |
Výkon - max | 3,1W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SMD, Ploché vodiče | |
Dodávaná velikost pouzdra | 1206-8 ChipFET™ | |
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 25,20000 Kč | 25,20 Kč |
10 | 15,85200 Kč | 158,52 Kč |
100 | 10,43790 Kč | 1 043,79 Kč |
500 | 8,10954 Kč | 4 054,77 Kč |
1 000 | 7,35966 Kč | 7 359,66 Kč |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
3 000 | 6,40738 Kč | 19 222,14 Kč |
6 000 | 5,92791 Kč | 35 567,46 Kč |
9 000 | 5,68370 Kč | 51 153,30 Kč |
15 000 | 5,48869 Kč | 82 330,35 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 25,20000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 30,49200 Kč |