Name: SI5515CDC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5515CDC-T1-GE3TR-ND
Price: 30.8187 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI5515CDC-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI5515CDC-T1-GE3
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 4A 3,1W Montáž na povrch 1206-8 ChipFET™
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI5515CDC-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4A
Rds zap (max) při Id, Vgs	36mOhm při 6A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	800mV při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	11,3nC při 5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	632pF při 10V
Výkon - max	3,1W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Dodávaná velikost pouzdra	1206-8 ChipFET™
Základní číslo produktu	SI5515