
SI5515CDC-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI5515CDC-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI5515CDC-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI5515CDC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI5515CDC-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8 |
Standardní dodací lhůta výrobce | 38 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 20V 4A 3,1W Montáž na povrch 1206-8 ChipFET™ |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI5515CDC-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | N a P-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 4A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 36mOhm při 6A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 800mV při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 11,3nC při 5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 632pF při 10V | |
Výkon - max | 3,1W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SMD, Ploché vodiče | |
Dodávaná velikost pouzdra | 1206-8 ChipFET™ | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 27,30000 Kč | 27,30 Kč |
| 10 | 17,09200 Kč | 170,92 Kč |
| 100 | 11,25910 Kč | 1 125,91 Kč |
| 500 | 8,74692 Kč | 4 373,46 Kč |
| 1 000 | 7,93850 Kč | 7 938,50 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 3 000 | 6,91121 Kč | 20 733,63 Kč |
| 6 000 | 6,39407 Kč | 38 364,42 Kč |
| 9 000 | 6,13065 Kč | 55 175,85 Kč |
| 15 000 | 5,83471 Kč | 87 520,65 Kč |
| 21 000 | 5,65952 Kč | 118 849,92 Kč |
| 30 000 | 5,51198 Kč | 165 359,40 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 27,30000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 33,03300 Kč |









