Name: SI5403DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI5403DC-T1-GE3TR-ND
Price: 23.1836 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI5403DC-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI5403DC-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI5403DC-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI5403DC-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI5403DC-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 30 V 6A (Tc) 2,5W (Ta), 6,3W (Tc) Montáž na povrch 1206-8 ChipFET™
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI5403DC-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	30mOhm při 7,2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1340 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,5W (Ta), 6,3W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	1206-8 ChipFET™
Pouzdro	8-SMD, Ploché vodiče
Základní číslo produktu	SI5403