
SI4925DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4925DDY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 54 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 8A 5W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4925DDY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 P-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 8A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 29mOhm při 7,3A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 50nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1350pF při 15V | |
Výkon - max | 5W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 31,00000 Kč | 31,00 Kč |
| 10 | 19,60800 Kč | 196,08 Kč |
| 100 | 13,04570 Kč | 1 304,57 Kč |
| 500 | 10,23248 Kč | 5 116,24 Kč |
| 1 000 | 9,32726 Kč | 9 327,26 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 8,34720 Kč | 20 868,00 Kč |
| 5 000 | 7,74153 Kč | 38 707,65 Kč |
| 7 500 | 7,43301 Kč | 55 747,58 Kč |
| 12 500 | 7,31434 Kč | 91 429,25 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 31,00000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 37,51000 Kč |











