Name: SI4925DDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4925DDY-T1-GE3TR-ND
Price: 38.4659 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4925DDY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4925DDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4925DDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4925DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4925DDY-T1-GE3
Popis	MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SOIC
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 8A 5W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4925DDY-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	2 P-kanál (duální)
Funkce tranzistoru FET	-
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	8A
Rds zap (max) při Id, Vgs	29mOhm při 7,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	50nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1350pF při 15V
Výkon - max	5W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Základní číslo produktu	SI4925