SI4532ADY-T1-E3 Vishay Siliconix | Pole FET, MOSFET

SI4532ADY-T1-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Direct

Vishay Siliconix

Skladem : 2 040

Jednotková cena : 23,94000 Kč

Similar

onsemi

Skladem : 9 947

Jednotková cena : 34,65000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4532ADY-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI4532ADY-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR)
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4532ADY-T1-E3
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 3.7A/3A 8SOIC
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 3,7A, 3A 1,13W, 1,2W Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI4532ADY-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 53mOhm při 4,9A, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 1V při 250µA (min.)
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 16nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR)	Výkon - max 1,13W, 1,2W
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace N a P-kanál	Pouzdro 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Dodávaná velikost pouzdra 8-SOIC
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Základní číslo produktu SI4532
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 3,7A, 3A