
SI4532CDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4532CDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4532CDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4532CDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4532CDY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N/P-CH 30V 6A/4.3A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 38 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 6A, 4,3A 2,78W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4532CDY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | N a P-kanál | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 6A, 4,3A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 47mOhm při 3,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 3V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 9nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 305pF při 15V | |
Výkon - max | 2,78W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 23,94000 Kč | 23,94 Kč |
| 10 | 14,95100 Kč | 149,51 Kč |
| 100 | 9,78090 Kč | 978,09 Kč |
| 500 | 7,55718 Kč | 3 778,59 Kč |
| 1 000 | 6,84073 Kč | 6 840,73 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 5,66820 Kč | 14 170,50 Kč |
| 5 000 | 5,32824 Kč | 26 641,20 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 23,94000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 28,96740 Kč |






