Name: SI4477DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4477DY-T1-GE3TR-ND
Price: 45.617 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI4477DY-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI4477DY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4477DY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4477DY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI4477DY-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 26.6A 8SO
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 26,6A (Tc) 3W (Ta), 6,6W (Tc) Montáž na povrch 8-SOIC
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	26,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,2mOhm při 18A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4600 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 6,6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOIC
Pouzdro	8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka)
Základní číslo produktu	SI4477