
SI4214DDY-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI4214DDY-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI4214DDY-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI4214DDY-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI4214DDY-T1-GE3 |
Popis | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8SOIC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 24 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | Pole MOSFET 30V 8,5A 3,1W Montáž na povrch 8-SOIC |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | SI4214DDY-T1-GE3 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Výrobce | Vishay Siliconix | |
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Aktivní | |
Technologie | MOSFET (oxid kovu) | |
Konfigurace | 2 N-kanál (duální) | |
Funkce tranzistoru FET | Hradlo logické úrovně | |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 30V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | 8,5A | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 19,5mOhm při 8A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 2,5V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 22nC při 10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 660pF při 15V | |
Výkon - max | 3,1W | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Pouzdro | 8-SOIC (0,154", 3,90mm šířka) | |
Dodávaná velikost pouzdra | 8-SOIC | |
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 22,31000 Kč | 22,31 Kč |
| 10 | 13,99800 Kč | 139,98 Kč |
| 100 | 9,16310 Kč | 916,31 Kč |
| 500 | 7,07996 Kč | 3 539,98 Kč |
| 1 000 | 6,40909 Kč | 6 409,09 Kč |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 2 500 | 5,68224 Kč | 14 205,60 Kč |
| 5 000 | 5,23290 Kč | 26 164,50 Kč |
| 7 500 | 5,00401 Kč | 37 530,07 Kč |
| 12 500 | 4,74681 Kč | 59 335,12 Kč |
| 17 500 | 4,60468 Kč | 80 581,90 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 22,31000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 26,99510 Kč |









