SI3590DV-T1-E3 Vishay Siliconix | Pole FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI3590DV-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI3590DV-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI3590DV-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI3590DV-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI3590DV-T1-E3
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 2.5A 6TSOP
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 2,5A, 1,7A 830mW Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 77mOhm při 3A, 4,5V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 4,5nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Výkon - max 830mW
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Konfigurace N a P-kanál	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Základní číslo produktu SI3590
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,5A, 1,7A

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
SI3590DV-T1-GE3	Vishay Siliconix	33	SI3590DV-T1-GE3CT-ND	29,19000 Kč	Parametrický ekvivalent
AO6601	Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0	785-1076-2-ND	3,62838 Kč	Similar
NTGD4167CT1G	onsemi	973 888	NTGD4167CT1GOSCT-ND	21,42000 Kč	Similar