Name: NTGD4167CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGD4167CT1GOSTR-ND
Price: 24.2 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTGD4167CT1G
Číslo produktu DigiKey	NTGD4167CT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTGD4167CT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTGD4167CT1G
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 2,6A, 1,9A 900mW Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTGD4167CT1G Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	onsemi
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	2,6A, 1,9A
Rds zap (max) při Id, Vgs	90mOhm při 2,6A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	5,5nC při 4,5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	295pF při 15V
Výkon - max	900mW
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Základní číslo produktu	NTGD4167