Name: NTGD4167CT1G
Brand: onsemi
SKU: NTGD4167CT1GOSTR-ND
Price: 25.9182 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTGD4167CT1G
Číslo produktu DigiKey	NTGD4167CT1GOSTR-ND - Páska a cívka (TR) NTGD4167CT1GOSCT-ND - Řezaná páska (CT) NTGD4167CT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTGD4167CT1G
Popis	MOSFET N/P-CH 30V 2.6A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	13 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 30V 2,6A, 1,9A 900mW Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTGD4167CT1G Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Výrobce onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 5,5nC při 4,5V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 295pF při 15V
Stav součásti Aktivní	Výkon - max 900mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace N a P-kanál	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 30V	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 2,6A, 1,9A	Základní číslo produktu NTGD4167
Rds zap (max) při Id, Vgs 90mOhm při 2,6A, 4,5V