Name: SI3585CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 20.6305 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI3585CDV-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI3585CDV-T1-GE3
Popis	MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 20V 3,9A, 2,1A 1,4W, 1,3W Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI3585CDV-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,9A, 2,1A
Rds zap (max) při Id, Vgs	58mOhm při 2,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4,8nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	150pF při 10V
Výkon - max	1,4W, 1,3W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Základní číslo produktu	SI3585

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 15 000

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)