Name: SI3585CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3585CDV-T1-GE3TR-ND
Price: 20.4127 CZK
Availability: InStock

cms-photo-disclaimer

SI3585CDV-T1-GE3
cms-digikey-product-number	SI3585CDV-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI3585CDV-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI3585CDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Vishay Siliconix
cms-manufacturer-product-number	SI3585CDV-T1-GE3
cms-description	MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP
cms-standard-lead-time	10 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	Pole MOSFET 20V 3,9A, 2,1A 1,4W, 1,3W Montáž na povrch 6-TSOP
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	SI3585CDV-T1-GE3 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET
Výrobce	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Konfigurace	N a P-kanál
Funkce tranzistoru FET	Hradlo logické úrovně
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,9A, 2,1A
Rds zap (max) při Id, Vgs	58mOhm při 2,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	4,8nC při 10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	150pF při 10V
Výkon - max	1,4W, 1,3W
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Způsob montáže	Montáž na povrch
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Základní číslo produktu	SI3585

cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Skladem: 12 433

cms-incoming-leadtime-link

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)