Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SI3460BDV-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:
Direct
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SI3460BDV-T1-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SI3460BDV-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI3460BDV-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI3460BDV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel® |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SI3460BDV-T1-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 20 V 8A (Tc) 2W (Ta), 3,5W (Tc) Montáž na povrch 6-TSOP |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel® | |
Stav součásti | Zastaralé | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 20 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 1,8V, 4,5V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 27mOhm při 5,1A, 4,5V | |
Vgs(th) (max) při Id | 1V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 24 nC @ 8 V | |
Vgs (max) | ±8V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 860 pF @ 10 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 2W (Ta), 3,5W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Montáž na povrch | |
Dodávaná velikost pouzdra | 6-TSOP | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Zastaralý
