Name: SI3407DV-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI3407DV-T1-GE3TR-ND
Price: 20.691 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI3407DV-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI3407DV-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI3407DV-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI3407DV-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI3407DV-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 8A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	38 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 8A (Tc) 4,2W (Tc) Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI3407DV-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 1,5V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 63 nC @ 10 V
Řada TrenchFET®	Vgs (max) ±12V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 1670 pF @ 10 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 4,2W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 20 V	Dodávaná velikost pouzdra 6-TSOP
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 8A (Tc)	Pouzdro SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 2,5V, 4,5V	Základní číslo produktu SI3407
Rds zap (max) při Id, Vgs 24mOhm při 7,5A, 4,5V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 54 051

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®

* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.

Páska a cívka (TR)