Name: SI2301CDS-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2301CDS-T1-E3TR-ND
Price: 15.125 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI2301CDS-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI2301CDS-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI2301CDS-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI2301CDS-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2301CDS-T1-E3
Popis	MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 3,1A (Tc) 860mW (Ta), 1,6W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI2301CDS-T1-E3 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	3,1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	112mOhm při 2,8A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	405 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	860mW (Ta), 1,6W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	SI2301