Name: SI3407DV-T1-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SI3407DV-T1-BE3TR-ND
Price: 6.8002 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI3407DV-T1-BE3
Číslo produktu DigiKey	742-SI3407DV-T1-BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SI3407DV-T1-BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SI3407DV-T1-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI3407DV-T1-BE3
Popis	MOSFET P-CH 20V 7.5A/8A 6TSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 20 V 7,5A (Ta), 8A (Tc) 2W (Ta), 4,2W (Tc) Montáž na povrch 6-TSOP
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	20 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,5A (Ta), 8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	2,5V, 4,5V
Rds zap (max) při Id, Vgs	24mOhm při 7,5A, 4,5V
Vgs(th) (max) při Id	1,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (max)	±12V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1670 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2W (Ta), 4,2W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	6-TSOP
Pouzdro	SOT-23-6 tenký, TSOT-23-6
Základní číslo produktu	SI3407