N-kanál 100 V 3,1A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI2392ADS-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SI2392ADS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SI2392ADS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SI2392ADS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
SI2392ADS-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 100V 3.1A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce
17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 3,1A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
TrenchFET®
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
3,1A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
126mOhm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
10.4 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
196 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu
SI2392
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 31 765
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
118,06000 Kč18,06 Kč
1011,15000 Kč111,50 Kč
1007,21070 Kč721,07 Kč
5005,50694 Kč2 753,47 Kč
1 0004,95763 Kč4 957,63 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0004,25930 Kč12 777,90 Kč
6 0003,90755 Kč23 445,30 Kč
9 0003,72831 Kč33 554,79 Kč
15 0003,52691 Kč52 903,65 Kč
21 0003,40767 Kč71 561,07 Kč
30 0003,29177 Kč98 753,10 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:18,06000 Kč
Jednotková cena s DPH:21,85260 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
TLV3201AIDBVR

TLV3201AIDBVR

IC COMPARATOR 1 GEN PUR SOT23-5

Texas Instruments

28,77000 Kč
MP8030GQJ-Z

MP8030GQJ-Z

FULLY INTEGRATED, 802.3AF/AT/BT-

Monolithic Power Systems Inc.

68,45000 Kč
SI2392ADS-T1-BE3

SI2392ADS-T1-BE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET

Vishay Siliconix

18,06000 Kč
FDN8601

FDN8601

MOSFET N-CH 100V 2.7A SUPERSOT3

onsemi

19,74000 Kč
SI2392BDS-T1-GE3

SI2392BDS-T1-GE3

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SOT

Vishay Siliconix

20,16000 Kč
ECH8690-TL-H

ECH8690-TL-H

MOSFET N/P-CH 60V 4.7A/3.5A 8ECH

onsemi

30,03000 Kč
B2100-13-F

B2100-13-F

DIODE SCHOTTKY 100V 2A SMB

Diodes Incorporated

14,28000 Kč
SI2324A-TP

SI2324A-TP

MOSFET N-CH 100V 2A SOT23

MCC (Micro Commercial Components)

9,45000 Kč
SQ2398ES-T1_GE3

SQ2398ES-T1_GE3

MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-3

Vishay Siliconix

22,89000 Kč
SI2308CDS-T1-GE3

SI2308CDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.6A SOT23-3

Vishay Siliconix

11,55000 Kč