SI2319DS-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 199 108
Jednotková cena : 19,11000 Kč
Katalogový list

Similar


Panjit International Inc.
Skladem : 2 892
Jednotková cena : 7,77000 Kč
Katalogový list
P-kanál 40 V 2,3A (Ta) 750mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI2319DS-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
SI2319DS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
SI2319DS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
SI2319DS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI2319DS-T1-GE3
Popis
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
P-kanál 40 V 2,3A (Ta) 750mW (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SI2319DS-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
82mOhm při 3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
470 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
750mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.