Name: SI2319CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2319CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 22.6149 CZK
Availability: OutOfStock

SI2319CDS-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI2319CDS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI2319CDS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI2319CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2319CDS-T1-GE3
Popis	MOSFET P-CH 40V 4.4A SOT23-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 40 V 4,4A (Tc) 1,25W (Ta), 2,5W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SI2319CDS-T1-GE3 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Není určeno pro nové konstrukce
Typ tranzistoru FET	P-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	4,4A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	77mOhm při 3,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	21 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	595 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,25W (Ta), 2,5W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	SI2319

Jednotková cena bez DPH:	18,69000 Kč
Jednotková cena s DPH:	22,61490 Kč

SI2319CDS-T1-GE3