Name: SI2318CDS-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI2318CDS-T1-GE3TR-ND
Price: 13.1043 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

SI2318CDS-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	SI2318CDS-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI2318CDS-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI2318CDS-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI2318CDS-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 40V 5.6A SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce	19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 5,6A (Tc) 1,25W (Ta), 2,1W (Tc) Montáž na povrch SOT-23-3 (TO-236)
Katalogový list	Katalogový list

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	TrenchFET®
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,6A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	42mOhm při 4,3A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	9 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	340 pF @ 20 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,25W (Ta), 2,1W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	SOT-23-3 (TO-236)
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	SI2318

Jednotková cena bez DPH:	10,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:	13,10430 Kč

SI2318CDS-T1-GE3