SI1926DL-T1-E3 Vishay Siliconix | Pole FET, MOSFET

SI1926DL-T1-E3 je zastaralá a již se nevyrábí.

Dostupné náhrady:

Similar

Taiwan Semiconductor Corporation

Skladem : 416

Jednotková cena : 7,72000 Kč

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI1926DL-T1-E3
Číslo produktu DigiKey	SI1926DL-T1-E3TR-ND - Páska a cívka (TR) SI1926DL-T1-E3CT-ND - Řezaná páska (CT) SI1926DL-T1-E3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SI1926DL-T1-E3
Popis	MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Pole MOSFET 60V 370mA 510mW Montáž na povrch SC-70-6
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Pole FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,4Ohm při 340mA, 10V
Výrobce Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 1,4nC při 10V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 18,5pF při 30V
Stav součásti Zastaralé	Výkon - max 510mW
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Konfigurace 2 N-kanál (duální)	Způsob montáže Montáž na povrch
Funkce tranzistoru FET Hradlo logické úrovně	Pouzdro 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60V	Dodávaná velikost pouzdra SC-70-6
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 370mA	Základní číslo produktu SI1926