Name: IPB65R095C7ATMA2
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB65R095C7ATMA2TR-ND
Price: 157.2758 CZK
Availability: InStock

IPB65R095C7ATMA2
Číslo produktu DigiKey	IPB65R095C7ATMA2TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB65R095C7ATMA2CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB65R095C7ATMA2DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB65R095C7ATMA2
Popis	MOSFET N-CH 650V 24A TO263-3
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 24A (Tc) 128W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB65R095C7ATMA2 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ C7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	24A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	95mOhm při 11,8A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 590µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	45 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2140 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	128W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB65R095

Jednotková cena bez DPH:	129,98000 Kč
Jednotková cena s DPH:	157,27580 Kč

IPB65R095C7ATMA2