SI1330EDL-T1-GE3 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Diodes Incorporated
Skladem : 0
Jednotková cena : 1,01007 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 19 289
Jednotková cena : 7,35000 Kč
Katalogový list

Similar


Rohm Semiconductor
Skladem : 6 473
Jednotková cena : 5,88000 Kč
Katalogový list
N-kanál 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Montáž na povrch SC-70-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SI1330EDL-T1-GE3

Číslo produktu DigiKey
742-SI1330EDL-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR)
742-SI1330EDL-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce
Číslo produktu výrobce
SI1330EDL-T1-GE3
Popis
MOSFET N-CH 60V 240MA SC70-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 60 V 240mA (Ta) 280mW (Ta) Montáž na povrch SC-70-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
SI1330EDL-T1-GE3 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
3V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
2,5Ohm při 250mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±20V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
280mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
SC-70-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.