Name: IRLL110TRPBF-BE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-IRLL110TRPBF-BE3TR-ND
Price: 63.0894 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLL110TRPBF-BE3
Číslo produktu DigiKey	742-IRLL110TRPBF-BE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-IRLL110TRPBF-BE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-IRLL110TRPBF-BE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	IRLL110TRPBF-BE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223
Standardní dodací lhůta výrobce	47 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 1,5A (Tc) 2W (Ta), 3,1W (Tc) Montáž na povrch SOT-223
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 6.1 nC @ 5 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 250 pF @ 25 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2W (Ta), 3,1W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,5A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-223
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4V, 5V	Pouzdro TO-261-4, TO-261AA
Rds zap (max) při Id, Vgs 540mOhm při 900mA, 5V	Základní číslo produktu IRLL110