N-kanál 200 V 9,9A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRLI640GPBF

Číslo produktu DigiKey
IRLI640GPBF-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
IRLI640GPBF
Popis
MOSFET N-CH 200V 9.9A TO220-3
Standardní dodací lhůta výrobce
64 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 200 V 9,9A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRLI640GPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
9,9A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4V, 5V
Rds zap (max) při Id, Vgs
180mOhm při 5,9A, 5V
Vgs(th) (max) při Id
2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
66 nC @ 10 V
Vgs (max)
±10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1800 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
40W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Plná výzbroj TO-220-3, Izolovaná podložka
Základní číslo produktu
IRLI640
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 464
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
190,50000 Kč90,50 Kč
5046,39300 Kč2 319,65 Kč
10042,12200 Kč4 212,20 Kč
50034,64040 Kč17 320,20 Kč
1 00032,23739 Kč32 237,39 Kč
2 00031,47076 Kč62 941,52 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:90,50000 Kč
Jednotková cena s DPH:109,50500 Kč