IRFIB5N65APBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Vishay Siliconix
Skladem : 1 992
Jednotková cena : 58,37000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 956
Jednotková cena : 51,45000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 69,92000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 62
Jednotková cena : 50,40000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 885
Jednotková cena : 90,92000 Kč
Katalogový list

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 26
Jednotková cena : 60,05000 Kč
Katalogový list
N-kanál 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFIB5N65APBF

Číslo produktu DigiKey
IRFIB5N65APBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFIB5N65APBF
Popis
MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 5,1A (Tc) 60W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFIB5N65APBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
930mOhm při 3,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1417 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
60W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.