Name: IRFI640GPBF
Brand: Vishay Siliconix
SKU: IRFI640GPBF-ND
Price: 116.1116 CZK
Availability: OutOfStock

IRFI640GPBF
Číslo produktu DigiKey	IRFI640GPBF-ND
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	IRFI640GPBF
Popis	MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
Standardní dodací lhůta výrobce	39 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 9,8A (Tc) 40W (Tc) Průchozí otvor TO-220-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IRFI640GPBF Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	9,8A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	180mOhm při 5,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1300 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	40W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-3
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3, Izolovaná podložka
Základní číslo produktu	IRFI640

Jednotková cena bez DPH:	95,96000 Kč
Jednotková cena s DPH:	116,11160 Kč

IRFI640GPBF