IRFB20N50KPBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


onsemi
Skladem : 1 788
Jednotková cena : 3,11000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 393
Jednotková cena : 2,30000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 332
Jednotková cena : 1,42000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 774
Jednotková cena : 3,26000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 995
Jednotková cena : 4,37000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 2 764
Jednotková cena : 5,04000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 5,22000 Kč
Katalogový list
SIHP23N60E-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFB20N50KPBF

Číslo produktu DigiKey
IRFB20N50KPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFB20N50KPBF
Popis
MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 20A (Tc) 280W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFB20N50KPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
250mOhm při 12A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2870 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
280W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.