IRFB17N50LPBF je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Parametrický ekvivalent


Vishay Siliconix
Skladem : 2
Jednotková cena : 173,72000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 842
Jednotková cena : 114,98000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 214
Jednotková cena : 104,57000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 783
Jednotková cena : 88,94000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 457
Jednotková cena : 69,36000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 995
Jednotková cena : 62,07000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 112,07000 Kč
Katalogový list
SIHP23N60E-GE3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFB17N50LPBF

Číslo produktu DigiKey
IRFB17N50LPBF-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IRFB17N50LPBF
Popis
MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 16A (Tc) 220W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFB17N50LPBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
320mOhm při 9,9A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2760 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
220W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.