N-kanál 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IRFB11N50APBF

Číslo produktu DigiKey
IRFB11N50APBF-ND
Výrobce
Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce
IRFB11N50APBF
Popis
MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Standardní dodací lhůta výrobce
15 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 500 V 11A (Tc) 170W (Tc) Průchozí otvor TO-220AB
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IRFB11N50APBF Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Vishay Siliconix
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
500 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
11A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
520mOhm při 6,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1423 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
170W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220AB
Pouzdro
TO-220-3
Základní číslo produktu
IRFB11
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 307
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
183,36000 Kč83,36 Kč
5042,11780 Kč2 105,89 Kč
10038,13030 Kč3 813,03 Kč
50031,14172 Kč15 570,86 Kč
1 00028,89661 Kč28 896,61 Kč
2 00027,00994 Kč54 019,88 Kč
5 00025,64381 Kč128 219,05 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:83,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:100,86560 Kč