2N7002E-T1-GE3 Vishay Siliconix | Diskrétní polovodičové produkty

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

2N7002E-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	2N7002E-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 2N7002E-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 2N7002E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	2N7002E-T1-GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 240MA TO236
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 240mA (Ta) 350mW (Ta) Montáž na povrch TO-236
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Vishay Siliconix
Řada	-
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Zastaralé
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	240mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	3Ohm při 250mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	0.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	21 pF @ 5 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	350mW (Ta)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-236
Pouzdro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu	2N7002