Name: XPQ1R004PB,LXHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND
Price: 91.4881 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XPQ1R004PB,LXHQ
Číslo produktu DigiKey	264-XPQ1R004PBLXHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-XPQ1R004PBLXHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-XPQ1R004PBLXHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	XPQ1R004PB,LXHQ
Popis	40V U-MOS IX-H L-TOGL 1.0MOHM
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 200A (Ta) 230W (Tc) Montáž na povrch L-TOGL™
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	200A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	84 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6890 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	230W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	L-TOGL™
Pouzdro	8-PowerBSFN
Základní číslo produktu	XPQ1R004