Name: XK1R9F10QB,LXGQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND
Price: 117.7088 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

XK1R9F10QB,LXGQ
Číslo produktu DigiKey	264-XK1R9F10QBLXGQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-XK1R9F10QBLXGQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-XK1R9F10QBLXGQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	XK1R9F10QB,LXGQ
Popis	MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
Standardní dodací lhůta výrobce	32 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 160A (Ta) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-220SM(W)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	XK1R9F10QB,LXGQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	160A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,92mOhm při 80A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	184 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	11500 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220SM(W)
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	XK1R9F10