Name: TRS8E65H,S1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TRS8E65H,S1Q-ND
Price: 92.202 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TRS8E65H,S1Q
Číslo produktu DigiKey	264-TRS8E65H,S1Q-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TRS8E65H,S1Q
Popis	DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	Dioda 650 V 8A Průchozí otvor TO-220-2L
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Diody Usměrňovače Jednoduché diody
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Technologie	SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	8A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	1.35 V @ 8 A
Rychlost	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)	0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	90 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F	520pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže	Průchozí otvor
Pouzdro	TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220-2L
Provozní teplota - přechod	175°C

Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 313

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	76,20000 Kč	76,20 Kč
50	30,62780 Kč	1 531,39 Kč
100	30,28670 Kč	3 028,67 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.