Dioda 650 V 8A Průchozí otvor TO-220-2L
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TRS8E65H,S1Q

Číslo produktu DigiKey
264-TRS8E65H,S1Q-ND
Výrobce
Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce
TRS8E65H,S1Q
Popis
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A TO220L
Standardní dodací lhůta výrobce
24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
Dioda 650 V 8A Průchozí otvor TO-220-2L
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Toshiba Semiconductor and Storage
Řada
-
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Technologie
SiC (Silicon Carbide) Schottky
Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)
650 V
Střední hodnota usměrněného proudu (Io)
8A
Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If
1.35 V @ 8 A
Rychlost
Nulová doba zotavení > 500mA (Io)
Doba zpětného zotavení (trr)
0 ns
Zbytkový proud v závěrném směru při Vr
90 µA @ 650 V
Kapacita při Vr, F
520pF při 1V, 1MHz
Způsob montáže
Průchozí otvor
Pouzdro
TO-220-2
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220-2L
Provozní teplota - přechod
175°C
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 263
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
194,91000 Kč94,91 Kč
5048,48440 Kč2 424,22 Kč
10043,99500 Kč4 399,50 Kč
50036,13042 Kč18 065,21 Kč
1 00033,60457 Kč33 604,57 Kč
2 00031,48188 Kč62 963,76 Kč
5 00030,21087 Kč151 054,35 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:94,91000 Kč
Jednotková cena s DPH:114,84110 Kč