SiC (Silicon Carbide) Schottky Jednoduché diody

Zobrazuje se

z 1 724

Objednací č. Mfr	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Cena	Řada	Balení	Stav produktu	Technologie	Stejnosměrné závěrné napětí (Vr) (max)	Střední hodnota usměrněného proudu (Io)	Napětí v propustném směru (Vf) (max) při If	Rychlost	Doba zpětného zotavení (trr)	Zbytkový proud v závěrném směru při Vr	Kapacita při Vr, F	Třída	Kvalifikace	Způsob montáže	Pouzdro	Dodávaná velikost pouzdra	Provozní teplota - přechod
GB01SLT06-214 DIODE SIL CARB 650V 1A DO214AA Navitas Semiconductor, Inc.	26 940 Skladem	1 : 33,51000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 20,10683 Kč Páska a cívka (TR)	SiC Schottky MPS™	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	1A	2 V @ 1 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	10 µA @ 6.5 V	76pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	DO-214AA, SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
IDM02G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1200V 2A PGTO2522 Infineon Technologies	25 623 Skladem	1 : 47,32000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 13,76368 Kč Páska a cívka (TR)	CoolSiC™+	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	2A	1.65 V @ 2 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	18 µA @ 1200 V	182pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	PG-TO252-2	-55°C ~ 175°C
C3D04060E-TR DIODE SIL CARB 600V 13.5A TO252 Wolfspeed, Inc.	149 Skladem	1 : 53,21000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 15,85285 Kč Páska a cívka (TR)	Z-Rec®	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	600 V	13,5A	1.8 V @ 4 A	Rychlé obnovení stavu =< 500ns, > 200mA (Io)	-	50 µA @ 600 V	251pF při 0V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	10 773 Skladem	1 : 57,68000 Kč Trubice	Z-Rec®	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF při 0V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
C4D02120E-TR DIODE SIL CARB 1200V 10A TO2522 Wolfspeed, Inc.	5 295 Skladem	1 : 57,68000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 17,42249 Kč Páska a cívka (TR)	Z-Rec®	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 2 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	167pF při 0V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
STPSC2H12B2Y-TR DIODE SIL CARBIDE 1200V 5A DPAK STMicroelectronics	11 177 Skladem	1 : 61,95000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 21,51438 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	5A	1.5 V @ 2 A	Rychlé obnovení stavu =< 500ns, > 200mA (Io)	-	12 µA @ 1200 V	190pF při 0V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
STPSC10H065B-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 10A DPAK STMicroelectronics	8 085 Skladem	1 : 66,21000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 20,81011 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	10A	1.75 V @ 10 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	100 µA @ 650 V	480pF při 0V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	DPAK	-40°C ~ 175°C
C3D06060A DIODE SIL CARB 600V 19A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	22 149 Skladem	1 : 72,10000 Kč Trubice	Z-Rec®	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	600 V	19A	1.8 V @ 6 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF při 0V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D06060F DIODE SIC 600V 11.5A TO220-F2 Wolfspeed, Inc.	6 882 Skladem	1 : 72,10000 Kč Trubice	Z-Rec®	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	600 V	11,5A	1.8 V @ 6 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	294pF při 0V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	Plná výzbroj TO-220-2	TO-220-F2	-55°C ~ 175°C
IDM08G120C5XTMA1 DIODE SIL CARB 1200V 8A PGTO2522 Infineon Technologies	2 773 Skladem	1 : 73,93000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 24,17394 Kč Páska a cívka (TR)	CoolSiC™+	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	8A	1.95 V @ 8 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	40 µA @ 1200 V	365pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	PG-TO252-2	-55°C ~ 175°C
UJ3D1202TS DIODE SIL CARBIDE 1200V 2A TO220 onsemi	6 499 Skladem 7 000 Továrna	1 : 80,43000 Kč Trubice	-	Trubice	Datum posledního nákupu	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	2A	1.6 V @ 5 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	22 µA @ 1200 V	109pF při 1V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
GP3D005A170B DIODE SIL CARB 1700V 21A TO2472 SemiQ	2 530 Skladem	1 : 88,15000 Kč Trubice	Amp+™	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1700 V	21A	1.65 V @ 5 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	347pF při 1V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C
GB01SLT12-214 DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 1A SMB Navitas Semiconductor, Inc.	23 819 Skladem	1 : 89,97000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 31,55666 Kč Páska a cívka (TR)	SiC Schottky MPS™	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	1A	1.8 V @ 1 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	61pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	DO-214AA, SMB	DO-214AA (SMB)	-55°C ~ 175°C
GD10MPS12E DIODE SIL CARB 1200V 29A TO2522 Navitas Semiconductor, Inc.	1 800 Skladem	1 : 90,99000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 50,04595 Kč Páska a cívka (TR)	SiC Schottky MPS™	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Datum posledního nákupu	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	29A	1.8 V @ 10 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	5 µA @ 1200 V	367pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
IDL12G65C5XUMA2 DIODE SIL CARB 650V 12A PGVSON4 Infineon Technologies	5 777 Skladem	1 : 98,91000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 35,91316 Kč Páska a cívka (TR)	CoolSiC™+	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	12A	1.7 V @ 12 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	190 µA @ 650 V	360pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	4-PowerTSFN	PG-VSON-4	-55°C ~ 150°C
IDH10G120C5XKSA1 DIODE SIC 1.2KV 10A PGTO2201 Infineon Technologies	2 760 Skladem	1 : 101,14000 Kč Trubice	CoolSiC™+	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	10A	1.8 V @ 10 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	62 µA @ 1200 V	525pF při 1V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	TO-220-2	PG-TO220-2-1	-55°C ~ 175°C
C3D10060A DIODE SIL CARB 600V 30A TO220-2 Wolfspeed, Inc.	4 336 Skladem	1 : 105,00000 Kč Trubice	Z-Rec®	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	600 V	30A	1.8 V @ 10 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF při 0V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	TO-220-2	TO-220-2	-55°C ~ 175°C
C3D10060G DIODE SIL CARB 600V 29A TO263-2 Wolfspeed, Inc.	2 220 Skladem	1 : 105,00000 Kč Trubice	Z-Rec®	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	600 V	29A	1.8 V @ 10 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 600 V	480pF při 0V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB	TO-263-2	-55°C ~ 175°C
IDH12G65C6XKSA1 DIODE SIL CARB 650V 27A PGTO220 Infineon Technologies	2 391 Skladem	1 : 106,02000 Kč Trubice	-	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	27A	1.35 V @ 12 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	40 µA @ 420 V	594pF při 1V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	TO-220-2	PG-TO220-2	-55°C ~ 175°C
GB02SLT12-214 DIODE SIL CARB 1200V 2A DO214AA Navitas Semiconductor, Inc.	2 622 Skladem	1 : 108,25000 Kč Řezaná páska (CT) 3 000 : 40,49306 Kč Páska a cívka (TR)	SiC Schottky MPS™	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	2A	1.8 V @ 1 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	50 µA @ 1200 V	131pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	DO-214AA, SMB	DO-214AA	-55°C ~ 175°C
C4D05120E DIODE SIL CARB 1200V 19A TO2522 Wolfspeed, Inc.	6 068 Skladem	1 : 112,92000 Kč Trubice	Z-Rec®	Trubice	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	19A	1.8 V @ 5 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	150 µA @ 1200 V	390pF při 0V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	TO-252-2	-55°C ~ 175°C
IDDD16G65C6XTMA1 DIODE SIC 650V 43A PGHDSOP101 Infineon Technologies	2 204 Skladem	1 : 132,02000 Kč Řezaná páska (CT) 1 700 : 52,83802 Kč Páska a cívka (TR)	CoolSiC™+	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	43A	-	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	53 µA @ 420 V	783pF při 1V, 1MHz	-	-	Montáž na povrch	10-PowerSOP modul	PG-HDSOP-10-1	-55°C ~ 175°C
FFSD08120A DIODE SIC 1.2KV 22.5A TO252AA onsemi	153 Skladem	1 : 133,23000 Kč Řezaná páska (CT) 2 500 : 53,51937 Kč Páska a cívka (TR)	-	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1200 V	22,5A	1.75 V @ 8 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	200 µA @ 1200 V	538pF při 1V, 100kHz	-	-	Montáž na povrch	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63	TO-252AA	-55°C ~ 175°C
STPSC20065GY-TR DIODE SIL CARBIDE 650V 20A D2PAK STMicroelectronics	981 Skladem	1 : 133,44000 Kč Řezaná páska (CT) 1 000 : 63,13587 Kč Páska a cívka (TR)	ECOPACK®2	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Aktivní	SiC (Silicon Carbide) Schottky	650 V	20A	1.45 V @ 20 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	150 µA @ 600 V	1250pF při 0V, 1MHz	Automobilový průmysl	AEC-Q101	Montáž na povrch	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB	D2PAK	-40°C ~ 175°C
GD05MPS17H DIODE SIL CARB 1700V 15A TO2472 Navitas Semiconductor, Inc.	323 Skladem	1 : 135,06000 Kč Trubice	SiC Schottky MPS™	Trubice	Datum posledního nákupu	SiC (Silicon Carbide) Schottky	1700 V	15A	1.8 V @ 5 A	Nulová doba obnovy > 500mA (Io)	0 ns	20 µA @ 1700 V	361pF při 1V, 1MHz	-	-	Průchozí otvor	TO-247-2	TO-247-2	-55°C ~ 175°C

Zobrazuje se

z 1 724

Typy usměrňovacích diod

Standardní usměrňovací diody

Standardní diody (s křemíkovým přechodem P-N) Standardní diody vyrobené z křemíku s přechodem P-N představují nejzákladnější typ usměrňovacích diod. Běžně se používají v AC-DC měničích, v usměrňovačích a k obecné ochraně obvodů. Tyto diody, které mají typický úbytek napětí v propustném směru kolem 0,7 V, jsou nejvhodnější pro nízkofrekvenční spínání. Jejich doba zpětného zotavení (rychlost zastavení vedení po vypnutí) je relativně pomalá, což omezuje jejich použití ve vysokorychlostních aplikacích. Tyto diody vykazují také nízký zbytkový proud v závěrném směru, čímž se stávají spolehlivými pro provoz v ustáleném stavu.

Schottkyho bariérové diody (SBD)
Schottkyho diody (SBD) používají namísto tradičního přechodu P-N přechod kov-polovodič, což se projevuje ve vyšších spínacích rychlostech a nižším úbytkům napětí v propustném směru – často mezi 0,2 V a 0,4 V. Díky tomu jsou ideální pro DC-DC měniče, vysoce účinné napájecí zdroje a obvody, kde je minimalizace energetických ztrát kriticky důležitá. Jednou z nevýhod diod SBD je však jejich vyšší zbytkový proud v závěrném směru, zejména při zvýšených teplotách, což může být problém u přesných nebo bateriově napájených zařízení.

Superbariérové diody (SBR)
Superbariérové diody (SBR) kombinují nejlepší vlastnosti standardních a Schottkyho diod. Tyto součástky, podobně jako diody SBD, vykazují nízký úbytek napětí v propustném směru, avšak s výrazně nižším zbytkovým proudem v závěrném směru a vylepšeným zpracováním napětí v závěrném směru. Diody SBR jsou vhodné pro spínání výkonových měničů, adaptérů a automobilové elektroniky, kde je důležitá energetická účinnost a tepelná stabilita. Často představují lepší volbu než Schottkyho diody, pokud aplikace zahrnuje vyšší okolní teploty nebo vyšší přechodová napětí.

Lavinové diody
Lavinové diody jsou navrženy tak, aby spolehlivě pracovaly v režimu průrazu v závěrném směru, kde bezpečně vedou proud, jakmile dojde k překročení specifické prahové hodnoty závěrného napětí. Na rozdíl od standardních diod, které mohou být průrazem poškozeny, jsou lavinové diody navrženy tak, aby tuto situaci opakovaně a předvídatelně zvládaly.

Diody z karbidu křemíku (SiC)
SiC diody jsou vyrobeny z karbidu křemíku, materiálu se širokým zakázaným pásmem, který jim umožňuje pracovat při velmi vysokých napětích (600 V a více) a extrémních teplotách (>150 °C). Tyto diody jsou ideální pro průmyslové měniče, nabíječky elektromobilů, solární invertory a pohony motorů, zejména v obvodech vyžadujících rychlé spínání a nulovou dobu zpětného zotavení. Ačkoli jsou dražší než diody na bázi křemíku, díky jejich odolnosti a účinnosti při vysokých napětích a frekvencích se často stávají nejlepší dlouhodobou volbu pro náročné aplikace.

Typy usměrňovacích diod

Informace

Nápověda

Kontaktujte nás

Sledujte nás