Name: TPWR8004PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPWR8004PLL1QTR-ND
Price: 107.4722 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPWR8004PL,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPWR8004PLL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPWR8004PLL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPWR8004PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPWR8004PL,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 40V 150A 8DSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 150A (Tc) 1W (Ta), 170W (Tc) Montáž na povrch 8-DSOP, pokročilý
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPWR8004PL,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,4V při 1mA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 103 nC @ 10 V
Řada U-MOSIX-H	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9600 pF @ 20 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 1W (Ta), 170W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-DSOP, pokročilý
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 150A (Tc)	Pouzdro 8-PowerVDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu TPWR8004
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,8mOhm při 50A, 10V