Name: TPW5200FNH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW5200FNH,L1QTR-ND
Price: 92.3956 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPW5200FNH,L1Q
Číslo produktu DigiKey	264-TPW5200FNH,L1QTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPW5200FNH,L1QCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPW5200FNH,L1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPW5200FNH,L1Q
Popis	PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 250 V 26A (Tc) 800mW (Ta), 142W (Tc) Montáž na povrch 8-DSOP, pokročilý
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	250 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	26A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	52mOhm při 13A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	2200 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	800mW (Ta), 142W (Tc)
Provozní teplota	150°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DSOP, pokročilý
Pouzdro	8-PowerVDFN