Name: TPW1R104PB,L1XHQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND
Price: 58.322 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPW1R104PB,L1XHQ
Číslo produktu DigiKey	264-TPW1R104PBL1XHQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPW1R104PBL1XHQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPW1R104PBL1XHQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPW1R104PB,L1XHQ
Popis	MOSFET N-CH 40V 120A 8DSOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 120A (Ta) 960mW (Ta), 132W (Tc) Montáž na povrch 8-DSOP, pokročilý
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPW1R104PB,L1XHQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	40 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	120A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,14mOhm při 60A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	55 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4560 pF @ 10 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	960mW (Ta), 132W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	Automobilový průmysl
Kvalifikace	AEC-Q101
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-DSOP, pokročilý
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPW1R104