Name: TPN1R603PL,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1R603PLL1QTR-ND
Price: 31.2543 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPN1R603PL,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPN1R603PLL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPN1R603PLL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPN1R603PLL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPN1R603PL,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 30V 80A 8TSON
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 80A (Tc) 104W (Tc) Montáž na povrch 8-TSON rozšířený (3,1x3,1)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPN1R603PL,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	80A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,6mOhm při 40A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,1V při 300µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	41 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3900 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	104W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-TSON rozšířený (3,1x3,1)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPN1R603

Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Skladem: 32 019

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®