Name: TPN1110ENH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPN1110ENHL1QTR-ND
Price: 51.667 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPN1110ENH,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPN1110ENHL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPN1110ENHL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPN1110ENHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPN1110ENH,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 200V 7.2A 8TSON
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 200 V 7,2A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Montáž na povrch 8-TSON rozšířený (3,1x3,1)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPN1110ENH,L1Q Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	7,2A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	114mOhm při 3,6A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 200µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	7 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	600 pF @ 100 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	700mW (Ta), 39W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-TSON rozšířený (3,1x3,1)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPN1110