Name: TPM7R10CQ5,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 264-TPM7R10CQ5LQTR-ND
Price: 94.259 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

cms-photo-disclaimer

TPM7R10CQ5,LQ
cms-digikey-product-number	264-TPM7R10CQ5LQTR-ND - Páska a cívka (TR) 264-TPM7R10CQ5LQCT-ND - Řezaná páska (CT) 264-TPM7R10CQ5LQDKR-ND - Digi-Reel®
cms-manufacturer	Toshiba Semiconductor and Storage
cms-manufacturer-product-number	TPM7R10CQ5,LQ
cms-description	N-CH MOSFET, 150 V, 0.0071 @10V,
cms-standard-lead-time	16 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 150 V 13A (Ta), 120A (Tc) 3W (Ta), 250W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (4,9x5,75)
Katalogový list	Katalogový list

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	13A (Ta), 120A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	7,1mOhm při 35A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,5V při 1,2mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6800 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 250W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (4,9x5,75)
Pouzdro	8-PowerTDFN