Name: TPH6R003NL,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH6R003NLLQTR-ND
Price: 42.3379 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TPH6R003NL,LQ
Číslo produktu DigiKey	TPH6R003NLLQTR-ND - Páska a cívka (TR) TPH6R003NLLQCT-ND - Řezaná páska (CT) TPH6R003NLLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH6R003NL,LQ
Popis	MOSFET N CH 30V 38A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 30 V 38A (Tc) 1,6W (Ta), 34W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH6R003NL,LQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	30 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	38A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6mOhm při 19A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,3V při 200µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	17 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1400 pF @ 15 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	1,6W (Ta), 34W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPH6R003