Name: TPH2R608NH,L1Q
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TPH2R608NHL1QTR-ND
Price: 52.5987 CZK
Availability: OutOfStock

TPH2R608NH,L1Q
Číslo produktu DigiKey	TPH2R608NHL1QTR-ND - Páska a cívka (TR) TPH2R608NHL1QCT-ND - Řezaná páska (CT) TPH2R608NHL1QDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TPH2R608NH,L1Q
Popis	MOSFET N-CH 75V 150A 8SOP
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 75 V 150A (Tc) 142W (Tc) Montáž na povrch 8-SOP rozšířený (5x5)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TPH2R608NH,L1Q Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSVIII-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	75 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	150A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,6mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	72 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	6000 pF @ 37.5 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	142W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	8-SOP rozšířený (5x5)
Pouzdro	8-PowerVDFN
Základní číslo produktu	TPH2R608

Jednotková cena bez DPH:	43,47000 Kč
Jednotková cena s DPH:	52,59870 Kč

TPH2R608NH,L1Q