Name: TK7P60W,RVQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK7P60WRVQTR-ND
Price: 91.2098 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK7P60W,RVQ
Číslo produktu DigiKey	TK7P60WRVQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK7P60WRVQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK7P60WRVQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK7P60W,RVQ
Popis	MOSFET N CH 600V 7A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 7A (Ta) 60W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK7P60W,RVQ Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,7V při 350µA
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 10 V
Řada DTMOSIV	Vgs (max) ±30V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 490 pF @ 300 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 60W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 600 V	Dodávaná velikost pouzdra DPAK
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 7A (Ta)	Pouzdro TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu TK7P60
Rds zap (max) při Id, Vgs 600mOhm při 3,5A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (3)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
IXFY8N65X2	IXYS	44	IXFY8N65X2-ND	90,08000 Kč	Similar
STD11N60DM2	STMicroelectronics	1 054	497-16925-1-ND	51,45000 Kč	Similar
STD12N65M2	STMicroelectronics	118	497-15458-1-ND	49,14000 Kč	Similar