Name: TK5A60W,S4VX
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK5A60WS4VX-ND
Price: 71.753 CZK
Availability: OutOfStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TK5A60W,S4VX
Číslo produktu DigiKey	TK5A60WS4VX-ND
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK5A60W,S4VX
Popis	MOSFET N-CH 600V 5.4A TO220SIS
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 5,4A (Ta) 30W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK5A60W,S4VX Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	DTMOSIV
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	5,4A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	900mOhm při 2,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,7V při 270µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	10.5 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	380 pF @ 300 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	30W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-220SIS
Pouzdro	Plná výzbroj TO-220-3
Základní číslo produktu	TK5A60

Jednotková cena bez DPH:	59,30000 Kč
Jednotková cena s DPH:	71,75300 Kč

TK5A60W,S4VX