Name: TK4R4P06PL,RQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK4R4P06PLRQTR-ND
Price: 59.6046 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK4R4P06PL,RQ
Číslo produktu DigiKey	TK4R4P06PLRQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK4R4P06PLRQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK4R4P06PLRQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK4R4P06PL,RQ
Popis	MOSFET N-CHANNEL 60V 58A DPAK
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 58A (Tc) 87W (Tc) Montáž na povrch DPAK
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK4R4P06PL,RQ Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	U-MOSIX-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	58A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	4,4mOhm při 29A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,5V při 500µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	48.2 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3280 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	87W (Tc)
Provozní teplota	175°C
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	DPAK
Pouzdro	TO-252-3, DPAK (2 přívody + výstupek), SC-63
Základní číslo produktu	TK4R4P06