TK4A60D(STA4,Q,M) je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
Skladem : 0
Jednotková cena : 37,17000 Kč
Katalogový list

Similar


onsemi
Skladem : 420
Jednotková cena : 59,21000 Kč
Katalogový list

Similar


Infineon Technologies
Skladem : 490
Jednotková cena : 39,48000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 0
Jednotková cena : 22,71102 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 285
Jednotková cena : 0,00000 Kč
Katalogový list

Similar


STMicroelectronics
Skladem : 1 997
Jednotková cena : 45,99000 Kč
Katalogový list
N-kanál 600 V 4A (Ta) 35W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

TK4A60D(STA4,Q,M)

Číslo produktu DigiKey
TK4A60D(STA4QM)-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
TK4A60D(STA4,Q,M)
Popis
MOSFET N-CH 600V 4A TO220SIS
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 600 V 4A (Ta) 35W (Tc) Průchozí otvor TO-220SIS
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
TK4A60D(STA4,Q,M) Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,7Ohm při 2A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4,4V při 1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max)
±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
600 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
35W (Tc)
Provozní teplota
150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
TO-220SIS
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.
Nezrušitelné/nevratné