Name: TK31V60X,LQ
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: TK31V60XLQTR-ND
Price: 183.3876 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

TK31V60X,LQ
Číslo produktu DigiKey	TK31V60XLQTR-ND - Páska a cívka (TR) TK31V60XLQCT-ND - Řezaná páska (CT) TK31V60XLQDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Toshiba Semiconductor and Storage
Číslo produktu výrobce	TK31V60X,LQ
Popis	MOSFET N-CH 600V 30.8A 4DFN
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 30,8A (Ta) 240W (Tc) Montáž na povrch 4-DFN-EP (8x8)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	TK31V60X,LQ Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Řada	DTMOSIV-H
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30,8A (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	98mOhm při 9,4A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,5V při 1,5mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	65 nC @ 10 V
Vgs (max)	±30V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3000 pF @ 300 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	240W (Tc)
Provozní teplota	150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	4-DFN-EP (8x8)
Pouzdro	4-VSFN podložka pro odvod tepla
Základní číslo produktu	TK31V60

Jednotková cena bez DPH:	151,56000 Kč
Jednotková cena s DPH:	183,38760 Kč

TK31V60X,LQ